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    长鑫、紫光量产DRAM,存储器能否成为中国半导体的突破口?

    发布者:     发布时间:2019-11-29

    11 月 29 日讯,内存和闪存这两大半导体产品一直以来都是韩国掌握话语权,国内长鑫、紫光等近期也奋起直追,长鑫宣布量产 DRAM、紫光也发布了自己的内存条,试图打破这一行业的格局。


    长鑫、紫光量产DRAM,存储器能否成为中国半导体的突破口?.jpg


    存储芯片是电子系统的粮仓,数据的载体,关乎数据的安全,其市场规模足够大,约占半导体总体市场的三分之一。


    据统计,中国市场消耗了全球 DRAM 产值的 48%,消耗了全球 NAND Flash 产值的 35%,年进口总额高达 880 亿美元,对外依赖度超过 90%。 对中国厂商来说,中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计,中小容量存储芯片市场规模将保持在 120 亿至 200 亿美元,其中低容量 NAND 有 60 亿至 100 亿美元,NOR 约 30 亿美元,低容量 DRAM 约 70 亿美元。


    随着物联网和智能终端的快速发展,将不断扩大对中小容量存储芯片的需求,因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始,再向高容量存储芯片迈进。 DRAM 及 3D NAND 闪存是中国市场需求量最大类芯片,因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中,阻止中国发展及获得芯片技术。


    存储器业的特点是,它的设计并不难,如 NAND 闪存基本上有两种结构类型,一种是 Floating Gate 浮栅式结构,美光、英特尔采用,另一种是 Charge Trap 电荷捕获型结构,在 3D NAND 闪存中成为主流的选择,包括三星、东芝、SK Hynix 在内的闪存厂商普遍选择了 Charge Trap 结构。 在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。


    DRAM 量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资,扩大产能,最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持,困难在于产能爬坡速度,及在存储器的下降周期中能否坚持下去。 在今年第二季度,在 DRAM 方面,三星市占 45%份额,Hynix(海力士)市占 29%份额,及在 NAND 闪存中,三星的市占 35%及 Hynix 的 18%,可见韩国仍然垄断全球存储器业。


    而随着我国长鑫、紫光先后宣布量产 DRAM 之后,这种格局有望被打破。


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